- 当前价格:面议
- 最小订量:面议
- 所 在 地:经济开发区黄河路16号
- 发布日期:2005-07-06
- 有 效 期:长期有效
- 所属类目:LED芯片及外延 >> 激光管芯片
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特点
◆MOCVD外延材料
◆应变量子阱结构
◆无铝有源层
◆低阈值
◆长寿命
结构
◆InGaAsP/GaAs材料体系
◆电极材料
P(正极)面:金
N(负极)面:金/金合金
◆外型结构如图所示
说明:
1、所有参数是利用华光光电测试设备的测试结果;
2、封装时P面向下贴装到合适的热沉上,以利于器件可靠工作。
产品型号:HGLC810CW1000O