在对全国承担大功率LED芯片封装和应用的单位进行第一个节点综合考核评比中，中科院半导体所中科镓英半导体有限公司、北京大学由于关键技术获得突破性进展取得第一名。此次在关键技术上的突破是在国家知识创新工程支持下取得的。
半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，随着半导体照明应用的推广，"功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术"将在芯片技术的研究、生产及下游应用产品的开发方面发挥关键作用。2003年6月国家科技部正式启动"国家半导体照明工程"，同年10月，科技部紧急启动了"十五"国家重点科技攻关计划部署，"半导体照明产业化技术开发"攻关项目随即上马。全国在LED技术领域的40余个科研单位和企业对此项目进行攻关。半导体所中科镓英半导体有限公司、北京大学承担了"功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术"课题。
2004年9月底下达评估任务后，正是"十一"放假期间，科研人员放弃休假，加班加点，经过不懈努力和攻关，关键技术取得了突破性进展：大芯片倒装结构氮化镓(GaN)蓝光LED测试结果：正向电流350毫安，电压3.6～3.8伏，光功率119.88毫瓦，峰值波长460纳米；大芯片倒装结构氮化镓(GaN)白光LED测试结果：正向电流350毫安，电压3.6～3.8伏，光功率79.51毫瓦，光通量25.66流明/瓦，光效19.29流明/瓦。10月31日，历时近一个月的现场动态检查、流片、统一标准的测试、封装和评比，经过专家组考核答辩和打分排序，在对全国承担大功率LED芯片封装和应用的单位进行第一个节点综合考核评比中，半导体所中科镓英半导体有限公司、北京大学取得第一名。
中国科学院半导体研究所有多年从事化合物半导体材料及超薄层外延生长的基础，取得了多项成果。1997年首先在国内研制了大于1cd的AlGaInP橙黄色超高亮度LED，对蓝光LED芯片的研究居国内国际领先地位，对功率型LED芯片的特性也有非常深入的研究，这些都为"功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术"的攻关提供了雄厚的技术保证。
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