香港立法会正式通过28.4亿港元（约合人民币26.33亿元）专项拨款，设立香港微电子研发院，聚焦第三代半导体技术研发与产业化，标志着香港在高端制造领域的战略升级迈入新阶段。该机构将依托元朗创新园的双试验产线，构建“基础研究-中试验证-商业量产”全链条创新体系，目标打破国际技术垄断并抢占新能源汽车、可再生能源等新兴市场。
一、战略定位：填补产业链断层，构建技术转化平台
1. 资金配置与产能规划
o 拨款中24.8亿港元（占比87%）用于购置8英寸SiC/GaN中试线核心设备，包括高温离子注入机、光刻工具及薄膜沉积系统，剩余3.6亿港元支持未来五年运营。
o 试验线设计产能为年产1.2万片晶圆，可满足初创企业及中小型厂商的工艺验证需求，缩短产品商业化周期至12-18个月。
2. 技术攻坚方向
o 研发院下设四大技术组：工序技术（突破SiC外延缺陷密度控制）、设计应用（开发车规级功率模块）、先进封装（提升散热效率至200W/cm²）、品质检测（建立可靠性评估标准）。
o 目标2026年实现SiC MOSFET导通电阻低于2mΩ·cm²，较当前国际主流水平提升15%。
二、产学研协同：重塑香港科创生态
1. 跨机构协作机制
o 联合香港科技大学、香港应用科技研究院（ASTRI）等机构，推动异质集成技术（Hybrid Bonding）在车载芯片领域的应用。
o 建立开放式IP库，向企业授权核心专利，降低技术转化门槛。
2. 全球人才吸附
o 计划引进200名研发人员，其中30%为海外专家，重点招募美国、日本半导体设备及材料领域资深工程师。
o 与德国弗劳恩霍夫研究所合作开发AI辅助晶圆缺陷检测系统，检测效率提升40%。
三、产业链延伸：瞄准万亿级市场缺口
1. 新能源汽车与能源革命
o 研发院首批产品将用于开发11kW车载充电模块，支持800V高压平台，效率目标达97.5%。
o 与内地光伏企业合作开发GaN基微型逆变器，功率密度较硅基方案提高3倍，成本降低20%。
2. 应对地缘技术壁垒
o 为避免设备进口受美国《芯片法案》限制，研发院优先采购日本爱德万测试机台及欧洲ASM International沉积设备。
o 探索二手设备翻新与国产替代方案，如上海微电子光刻机适配第三代半导体工艺。
四、全球竞争格局下的潜在风险
1. 商业化周期压力
o 第三代半导体从研发到量产平均需5-8年，而香港本土缺乏规模化制造经验，技术转化效率存疑。
o 当前SiC衬底成本仍为硅基材料的10倍，需通过衬底自主化（如引入山东天岳供应链）降低成本曲线。
2. 国际技术封锁升级
o 美国商务部或将香港纳入“实体清单”审查范围，限制EDA工具及高纯度碳化硅粉体出口。
o 韩国、台湾地区已布局6英寸SiC量产线，香港需加速差异化技术突破以争夺市场话语权。
结语
香港微电子研发院的成立，既是应对全球半导体产业链重构的主动布局，亦是突破“科研强-产业弱”结构性瓶颈的关键落子。若能在设备自主化、专利池运营及下游应用场景拓展方面取得突破，香港有望在2028年前跻身全球第三代半导体技术策源地，并为大湾区高端制造业注入新动能。
中国互联网
深圳网络警
公共信息安
不良信息
中国文明