氮化镓基半导体层是生产蓝光谱芯片（包括白光LED）的最常用工艺，氮化镓层是通过在蓝宝石衬底上使用MOCVD这样的外延法生长出来的。蓝宝石散热性能较差，后期需要与GaN进行剥离。剥离前需要在高温下将散热性能良好的金属层和GaN层键合，这时，如果蓝宝石和金属层的热膨胀系数不同，就容易导致半导体外延层（GaN）的破裂。为防止出现这样的缺陷，理想的金属层应该具有和蓝宝石相同的热膨胀系数。
钼是原来常用的金属材料，其导热性好且耐热，但是其热膨胀系数低于蓝宝石(Al2O3)的热膨胀系数。新研发出来的钼铜复合材料Mo-Cu R670具有和蓝宝石相同的热膨胀系数，其热导率为170W/mK，温度漂移6.7ppm/K。
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