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彭晖:研发大电流驱动LED芯片将会使MOCVD投资事半功倍


添加时间:2012-05-30 | 返回首页
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  中国半导体照明网讯 日前,Cree公司推出了中性白光(4000K)XLamp XP-G LED,当驱动电流在350mA时,光通量为139lm,光效可达132lm/W。当驱动电流提高到1.5A,光通量可达463lm。与冷白光XLamp XR-E LED相比,在同等效能情况下,光输出是其4倍。

  大电流驱动LED芯片是目前业内专家一个新的关注方向,大电流驱动LED芯片可以有效的减少灯具所需的LED芯片数量、缩小尺寸,并降低LED灯具的成本,使得LED可以更快的进入通用照明,而且还能缓解企业更多设备投资的压力。

  彭晖博士认为,大电流驱动的LED芯片是缓解未来芯片设备及原材料供不应求困境的解决方法之一。以Cree中性白光(4000K)XLamp XP-G LED为例, 采用1.5A驱动,芯片光通量达到460lm,一个芯片相当于4个100lm的芯片,在没有增加任何设备投资的情况下,等于lm产能(lm产能 = 芯片产能 x lm/芯片)扩大4倍,而每lm光通量的成本降到1/4!按这种态势发展下去,如果一旦价格战开打,国内公司(没有大电流LED芯片技术的公司)连原有的成本优势也没有了!

  针对目前企业掀起的采购MOCVD热潮,彭晖博士给出了自己的建议:如果一个公司计划买20台MOCVD,最好买19台,拿出一台的250万美金研发大电流驱动芯片,实际得到的lm产能相当于4 x 19台 = 76台,净赚56台!即使在开始的时候,只能够做到采用750mA驱动,芯片光通量达到230lm,一个芯片相当于2个100lm的芯片,在没有增加任何设备投资的情况下,实际得到的lm产能相当于2 x 19台 = 38台,净赚18台!几乎是原计划的2倍。而且,原有的设备的lm产能也提高了2倍!

  “高科技行业,设备投资只是一条腿,另一条腿是技术,持续发展的技术。”彭晖博士如是说。


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