2007年4月24日，日立电线株式会社（Hitachi Cable）确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。
衬底尺寸的放大得益于日立电线的“间隙形成剥离法（VAS: Void Assisted Separation）”新技术，该技术首先在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜，再在GaN薄膜上沉积氮化钛膜，然后将其在混合气体中加热使GaN分解，使GaN薄膜与金属膜的接触面产生间隙，然后用HVPE法在这层氮化钛膜上生长更厚的GaN膜。
空隙层在这里起到降低由晶格常数不同引起的应力效应、提高晶体质量、降低GaN厚膜的缺陷密度和翘曲效应的作用，而空隙层的低机械强度允许自支撑、大尺寸GaN晶片的直接剥离。
新工艺目前仍处于研究阶段，还不能进行商业化推广。对于4英寸衬底，日立电线称并无任何明确的计划，待深入了解客户需求后，再进行开发。（
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