韩国教育科学技术部(长官：安炳万)21日发表了由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色LED的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。
在光州科技院的郑建永,郑文锡研究员的主导下，金基锡博士生与郑炫研究员，金相幕博士生的参与下所开发的此次研究结果被材料工学领域的科学期刊(Advanced Functional Materials, IF = 6.808)选定为9日版的被瞩目的论文，并被登载为封面论文。
此次开发的技术与原有的LED相比，不会低减电器的特征，依靠锌氧粉纳米杆的光导波路现象，增加30%以上的发光效率。
郑建永教授讲到：“此次研究结果从材料费或工程费侧面比较简单地将光导波管作用的 锌氧粉(ZnO)杆在低温下，不会为LED电极构造带来影响的同时使之生长，是将发光效率跨越性提高的源泉技术，今后的研究等与纳米技术融合的话，2015年的1,100亿美金的利益效果与世界LED照明市场的先占将成为可能”。
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