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半导体制造中测量和检查技术概述


添加时间:2012-05-30 | 返回首页
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   工艺诊断控制(PDC,Process Diagnosis Control)意味着半导体在线监测的测量工具。通常,它包括晶圆检查设备、SEM(扫描电镜)、CD SEM(临界尺寸扫描电镜)以及电子束检测和检查设备等。这些设备能够提供的精确和灵敏的结果,帮助工艺工程师发现缺陷并及时监测工艺变化,同时提醒工程师迅速采取行动以缓解工艺质量控制的压力,避免不必要的晶圆报废,降低生产成本,缩短周期。
  图1显示了PDC在半导体晶圆工艺中的地位。

    晶圆检测设备-这种设备用于ADI(显影后检测)和AEI(刻蚀后检测)或其他有需要的步骤中的缺陷检查。同时,为了今后查看的方便,将会生成一个文本文件,显示了缺陷的位置图。
  检测设备包括明场和暗场设备。明场设备较灵敏和昂贵,而速度则较慢。暗场设备较便宜和快捷,对于大多数层比较灵敏。明场设备的信号约为90度;暗场设备的信号约为10度到45度。图2显示了AMAT ComPLUS多角度的检查技术。它结合了明场、灰场和暗场技术。图3显示了AMAT检查设备的技术路线。



  扫描电镜(Review SEM)-通过由检测设备生成的缺陷图找到缺陷的准确位置,并对缺陷拍照和进行缺陷分析。图4是扫描电镜由缺陷图通过缺陷自动定位(ADR)完成自动拍照的示意图。
  图5显示了AMAT  SEMVision的技术路线。

  CD SEM-这种设备用于CD的光刻和刻蚀的精度测量。它能对CD进行精密和准确的测量,用于光刻和刻蚀中的统计工艺控制(SPC)以及制造设备的日常设置。图6显示了Verity SEM所谓的电子束测量技术获取的第三维图像和角度测量。



  EBI(电子束检查)-这种设备采用电子束源而不是激光源进行检测和查看缺陷。SEM的物理现象会引起电压变化,允许通过不同的灰度来分辨良好接地和没有接地的导电元件(图8)。


  图9显示了AMAT EBI使用VCDD(电压比照缺陷探测)来最大范围地探测光学无法探测的致命缺陷。



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