美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)日前宣布，计划在 2006 年年底之前实现生产工序无铅化。换言之，届时该公司出售的集成电路将会全部采用不含铅封装。
美国国家半导体大胆推行这个计划，希望可以为业界起带头作用，鼓励同业生产更环保的电子零件，使物料可以轻易循环再用，以便保护环境。美国国家半导体除了在封装工艺上停止采用铅之外，也大幅减少采用溴及含锑的阻燃剂。
2004 年 4 月，美国国家半导体宣布计划为全线芯片产品提供不含铅的封装。目前，该公司的
15,000 款模拟及混合信号集成电路产品都有不含铅的封装供客户选择。2006 年 6 月底之前，美国国家半导体出售的芯片产品将会全部采用不含铅封装，但已获豁免者则除外，显示该公司的生产工序完全符合欧洲议会所颁布有关限制使用危险物料的指令。但美国国家半导体对减少用铅怀有更远大的理想，内部所定的要求远比该公司有业务往来的国家所颁布的规定严格。
一直以来，铜引线框架封装的电镀层都采用铅作为电镀料。此外，Micro SMD、PBGA及 FBGA 等阵列插入式封装一向以铅作为焊球的焊料。美国国家半导体的引线框架封装已不再用铅作为电镀料，而改用冰铜锡。Micro SMD 封装也不再用铅作为焊球的焊料，而改用锡银铜合金；PBGA
及 FBGA 封装则改用锡银合金。这个目光远大的计划全面实行之后，预计美国国家半导体每年可以节省约 5 吨铅。
美国国家半导体中央技术生产部执行副总裁 Kamal Aggarwal 表示：“美国国家半导体是不含铅封装技术的领导者，我们开发创新的高性能产品时，必定会确保所开发的产品既环保而又可循环再用。”
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