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高散热效率的大功率半导体封装基座及生产工艺


添加时间:2012-05-30 | 返回首页
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本发明展示几种新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座及其生产的工艺。

主要特征如下:在保持封装基座的外形尺寸不变和易于批量生产的情况下,扩大热沉底部的接触面积。

主要工艺步骤如下:制造金属支架模片,注塑金属支架模片形成封装基座模片(不包括热沉),在每一个封装基座的背面点胶,把热沉放置在每一个封装基座中,固化胶。

本发明揭示的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座(包括热沉),也可以应用于其他半导体芯片或器件的封装基座。


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