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中国大陆明年加大芯片制造业资本支出水平


添加时间:2012-05-30 | 返回首页
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   投资银行Piper Jaffray & Co.日前发表研究报告,06年台湾地区的资本支出将比2005年增长5%左右,而中国大陆的资本支出则将大增50%。这家投行还提高了它对于2005年全球半导体资本支出的预测,并认为2006年将持平于今年的水平。

 

  Piper Jaffray & Co.表示,2006年台湾地区资本支出形势好坏不一。台积电可能会采取保守的支出策略,维持平稳的资本支出,主要用于90/65纳米产能扩张。联电的资本支出将显著增加100%,积极争取90纳米市场份额。台湾地区DRAM制造商的资本支出总体持平或者微升。ProMOS和Inotera将继续扩大其300mm产能,而Powerchip和Winbond在2006年的资本支出减缓。   这家投行预计中国大陆将恢复半导体资本支出。预期2006年中芯国际的支出计划将会上升,因该公司在提升300毫米晶圆产能,以争夺90纳米市场。意法半导体(ST)-Hynix在无锡的闪存合资企业将在2006年下半年开始安装设备,尽管第一阶段200mm产能扩张将来自Hynix Fab 6的二手设备,其它的资本支出提升可能来自和舰。和舰所有的200mm工厂都满负荷运转,但它和联电之间的“法律问题”推迟了其IPO和产能扩充计划。

 

  还有预计将会有惊人扩张的可能是上海的华虹NEC。除此以外,没有发现中国大陆的其它公司资本支出会有大幅提升,如宏力半导体、华润上华、上海先进半导体和台积电(中国),因为大多数公司要么缺少资金,要么业务需要和激励不足。

 


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