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英特尔65纳米工艺大突破新P4功耗不升反降


添加时间:2012-05-30 | 返回首页
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   Intel的生产工艺从90纳米升级到65纳米让他们成功将单核奔腾四处理器的功耗压了下来。对比当前所用的Prescott核心,新的Cedar Mill核心的功耗从95瓦下降到了86瓦。

  虽然现在业界的话题大多集中双核处理器之上,但单核处理器还将陪伴我们一段时间,例如Intel的单核6xx系列将继续存在该公司的高性能平台之中。虽然旧P4架构的性能提升已经很有限,但Intel显然在降低处理器的功耗上取得了重大进展。根据外国媒体获得的一枚65纳米P4 654处理器样品,其耗能比上一代产品减少了10%,不过这款处理器最近被Intel从官方Roadmap中撤了下来。

  Cedar Mill芯片的TDP(Thermal Power Design,热功率设计)是86瓦,而2MB二级缓存的Prescott核心是95瓦,这种86瓦的封装形式将应用于P4 600-系列处理器,频率从3.0GHz到3.6GHz。

  一般来说,生产工艺的更小型化通常都带来漏电流的增加和半导体能耗的上升。不过,Intel显然已经实现在工艺升级的同时仍然将总体耗能减少。他们采用的其中一个方法是将保存Prescott的1.2nm绝缘层以便能控制漏电流。Intel的65纳米生产工艺目前正在俄勒冈州的D1D晶圆厂内使用。

  Intel现有的奔腾四Roadmap显示采用Cedar Mill核心的处理器有五种,分别是 631、641、651、661和671 (3.0 to 3.8 GHz)。该外国媒体得到的样品是3.4GHz的P4 653,支持Intel最新的虚拟技术(VT)。但根据其Roadmap,这个型号的产品应该是不支持VT技术。


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