基于三维晶体管设计和多层介质技术，三星电子开发出一款50纳米1G DDR2 DRAM芯片。这种芯片采用了选择性外延生长晶体管(selective epitaxial growth transistor,SEG Tr)，可产生一种更宽的电子通道，从而加速电子流动。这一技术降低了功耗，并提高了性能，尽管三星并没有透露更多详情。
DRAM开始在容量上追赶NAND闪存。就在英特尔和美光合资的IM Flash Technologies公司推出基于50纳米制程的4G NAND闪存样品后几个月，三星也在9月初发布了基于40纳米制程技术的32G芯片。
对于三星来说，从60纳米转向50纳米，其DRAM产量将提高55％。 三星表示，此种DRAM将于2008年开始量产，并将到2011年成为总额550亿美元的DRAM市场中的主流技术。
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