设为首页 帮助中心   收藏本页
会员登录  |  注册新用户
更多
首页>行业动态>海力士 最迟在2006年4月启用无锡半导体厂

海力士 最迟在2006年4月启用无锡半导体厂


添加时间：2012-05-30 | 返回首页
更多

    28日报道，海力士（HYnix）与意法半导体（STMicroelectronics）合资兴建的江苏无锡半导体厂，将在明年4月着手量产。


    韩国业界相关人员27日指出，据传海力士最快将在明年第一季底，最迟将在明年第二季初启用无锡厂。无锡厂将以生产DRAM为主，NAND型闪存则将视市场需求弹性生产。

    无锡厂区达16万平方米，海力士计划投入2兆韩元以上兴建一座八吋晶圆厂与一座12吋晶圆厂。明年4月将启用的为8吋晶圆厂，将采用90纳米制程月产4万片（以八吋为基准）DRAM。

 


上一篇：南亚科技拟投15亿美元 设先进300mm芯片厂
下一篇：专家提出四点　为深圳半导体照明产业支招


推荐新闻

站内导航

LED网
注册帮助 | 国际LED网 | 关于我们 | 联系方式 | 网站地图 | 广告服务 | 意见建议 | LED网 | 中国LED网 | LED照明 | LED显示屏 | LED灯 | LED路灯
服务热线：(0755)36527366，(0755)36527388  | ©2006-2022  All Rights Reserved.
中国互联网
协会网络诚
信推进联盟
深圳网络警
察报警平台盟
公共信息安
全网络监察
不良信息
举报中心
中国文明
网传播文明
网站版权所有：深圳鼎盛创媒 | 粤ICP备07055621号
免责声明：本站所载内容，凡注明署名的，其版权属于署名者所有，转载请注明署名。
本站未注明来源ledwang.com之稿件均为转载稿，如本网转载涉及版权等问题，请作者速来电或发邮件与ledwang.com联系，我们将在第一时间删除。
请遵守《互联网电子公告服务管理规定》及中华人民共和国其他各项有关法律法规。
严禁发表危害国家安全、损害国家利益、破坏民族团结、破坏国家宗教政策、破坏社会稳定、侮辱、诽谤、教唆、淫秽等内容。