闪存技术厂商超捷(Silicon Storage Technology, Inc., SST)和三星电子日前宣布，双方已签署了一项新的技术授权协议，该协议将为三星提供先进的深亚微米嵌入式闪存技术。
根据该协议，三星将授权使用SST的超快闪(SuperFlash)技术，并将其应用于三星130纳米技术节点中的高容量、高密度的嵌入式闪存和ASIC产品，如三星最近推出的2MB嵌入式闪存S3FJ91L智能IC卡。与三星签署这一新的授权协议巩固了双方的长期合作关系，。通过签署这一新的技术授权协议，三星率先成为将SST的SuperFlash技术用于130纳米技术节点产品的被授权商。
SST表示，目前市场上已有超过21亿家第三方公司采用了其闪存技术，SuperFlash的成功归因于其可靠性、低功耗以及与CMOS逻辑程序的兼容性。此外，SST已经与三星和全球代工合作伙伴等公司形成了稳固的合作伙伴关系，从而使SuperFlash技术能够在该行业得到广泛推广。
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