技术描述：奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state)，因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中，或者亦可用磊晶的方法长在半导体芯片的基板上。
磊晶的方法，基板的选择非常苛刻，需要有配合量子点晶格的性质，而且其形成的速度非常缓慢（例如每小时数微米；μm/hr），单位面积覆盖的密度非常低，尚需真空设备进行必须的制程。
化学方法形成的发光奈米胶体粒子有下列好处：(1)可以大量生产并分散在溶剂中，为溶液态；(2)可以用习知的涂布方法如喷雾、浸渍或旋转涂布。涂布法在任何基板上可以瞬间成膜；(3)速度可达每秒数微米(μm/sec)，可增加千倍的速度，以形成高密度、大面积之二极管，而其面积只受限于基板的面积。
我们提供一种制程以均一大小颗粒的胶体氧化物、半导体、或者高分子发光奈米粒子制作高品质、窄频宽的发光体。本制程利用胶体发光奈米粒子可以均匀地分散在液体中，再使用简便的薄膜制作法如喷雾、浸渍、或者涂布将奈米粒子均匀加工在任何形状、尺寸、种类的基材上，进而作成价廉、大面积、可复性、以及高效能的发光体。
我们已用CdS胶体奈米证明此制程的可行性，图一显示发光二极管可由CdS奈米粒子以旋转涂布法置于硅芯片上，加上Cr/Au电极制成。图二显示此二极管的绿光光谱。
关键图式：
图一 CdS奈米粒子在硅芯片上制作发光二极管的结构图
图二 CdS奈米粒子发光二极管的电致发光光谱
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